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      氧化鎵制造功率元件,比SiC更出色?

      2021-10-25 14:08:43

      與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的β-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員,以論文形式介紹一下β-Ga2O3的特點、研發成果以及今后的發展。

      氧化鎵制造功率元件,比SiC更出色?

      我們一直在致力于利用氧化鎵(Ga2O3)的功率半導體元件(以下簡稱功率元件)的研發。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發的SiC和GaN相比,有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。其原因在于材料特性出色,比如帶隙比SiC及GaN大,而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。

      在我們瞄準的功率元件應用中,使用Ga2O3試制了“MESFET”(metal-semiconductorfield effect transistor,金屬半導體場效應晶體管)。盡管是未形成保護膜(鈍化膜)的非常簡單的構造,但試制品顯示出了耐壓高、泄漏電流小的特性。而使用SiC及GaN來制造相同構造的元件時,要想實現像試制品這樣的特性,則是非常難的。

      雖然研發尚處于初期階段,但我們認為Ga2O3的潛力巨大。本論文將介紹Ga2O3在功率元件用途方面的使用價值、研發成果,以及今后的目標等。

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